晶體管

型號	描述	庫存
NTLUS4C16NTAG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.4A 6-UDFN 制造商: ON Semiconductor 系列: µCool™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.37W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-UDFN (1.6x1.6) 包裝/箱: 6-PowerUFDFN	庫存8,892
NTMD4184PFR2G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 770mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,426
NTMD4884NFR2G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 770mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,586
NTMFD4951NFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存2,862
NTMFD4951NFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,046
NTMFD4952NFT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,024
NTMFD4952NFT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,514
NTMFD4C50NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,424
NTMFD4C50NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,574
NTMFD6H852NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 8DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,644
NTMFS08N003C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 PTNG 80/20V IN 5X6CLIP 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 147A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 310µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5350pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存22,944
NTMFS08N004C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 126A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4250pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6), Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,276
NTMFS08N2D5C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 166A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 380µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6240pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 138W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,038
NTMFS10N3D2C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 151A POWER56 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 151A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 138W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,646
NTMFS10N7D2C ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6), Power56 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,722
NTMFS23D9N06HLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 60V LOW COSS 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,834
NTMFS4108NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存6,516
NTMFS4108NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13.5A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存7,902
NTMFS4119NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存6,534
NTMFS4119NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存3,852
NTMFS4120NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存6,912
NTMFS4120NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存6,570
NTMFS4121NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存7,056
NTMFS4121NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存7,128
NTMFS4122NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存2,124
NTMFS4122NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9.1A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,868
NTMFS4701NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存2,070
NTMFS4701NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存6,048
NTMFS4707NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存4,806
NTMFS4707NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存3,240

NTLUS4C16NTAG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.4A 6-UDFN

制造商: ON Semiconductor
系列: µCool™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.37W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-UDFN (1.6x1.6)
包裝/箱: 6-PowerUFDFN

庫存8,892

NTMD4184PFR2G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 770mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,426

NTMD4884NFR2G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 360pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 770mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,586

NTMFD4951NFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存2,862

NTMFD4951NFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,046

NTMFD4952NFT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,024

NTMFD4952NFT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,514

NTMFD4C50NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,424

NTMFD4C50NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,574

NTMFD6H852NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 8DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,644

NTMFS08N003C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

PTNG 80/20V IN 5X6CLIP

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 147A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 310µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5350pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.7W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存22,944

NTMFS08N004C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 126A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4250pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6), Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,276

NTMFS08N2D5C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 166A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 380µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6240pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 138W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,038

NTMFS10N3D2C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 151A POWER56

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 151A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 370µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6215pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 138W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,646

NTMFS10N7D2C

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2635pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6), Power56
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,722

NTMFS23D9N06HLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 60V LOW COSS

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,834

NTMFS4108NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存6,516

NTMFS4108NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13.5A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 96.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存7,902

NTMFS4119NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存6,534

NTMFS4119NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4800pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存3,852

NTMFS4120NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存6,912

NTMFS4120NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存6,570

NTMFS4121NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存7,056

NTMFS4121NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存7,128

NTMFS4122NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存2,124

NTMFS4122NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9.1A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2310pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,868

NTMFS4701NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存2,070

NTMFS4701NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存6,048

NTMFS4707NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存4,806

NTMFS4707NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 735pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存3,240

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