晶體管

型號	描述	庫存
NTMFS4C022NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 136A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3071pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 64W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存8,514
NTMFS4C024NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.7A (Ta), 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.57W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,112
NTMFS4C024NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.7A (Ta), 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.57W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存8,136
NTMFS4C025NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存3,096
NTMFS4C025NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存2,844
NTMFS4C027NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,814
NTMFS4C027NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存6,534
NTMFS4C028NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1252pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存8,910
NTMFS4C028NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1252pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,778
NTMFS4C029NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 987pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存88,330
NTMFS4C029NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 987pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存6,858
NTMFS4C032NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.46W (Ta), 21.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存14,412
NTMFS4C032NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.46W (Ta), 21.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,076
NTMFS4C03NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 136A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3071pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 64W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存11,075
NTMFS4C03NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 136A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3071pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 64W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,952
NTMFS4C054NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.5A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.59W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,706
NTMFS4C054NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.5A (Ta), 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.59W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存8,082
NTMFS4C05NAT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.7A (Ta), 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.57W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存3,186
NTMFS4C05NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,852
NTMFS4C05NT1G-001 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.9A (Ta), 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,256
NTMFS4C05NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,182
NTMFS4C06NAT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,424
NTMFS4C06NBT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,778
NTMFS4C06NBT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,040
NTMFS4C06NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta), 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,632
NTMFS4C06NT1G-001 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,424
NTMFS4C06NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 69A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 770mW (Ta), 30.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,182
NTMFS4C08NAT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存3,186
NTMFS4C08NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1113pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存24,462
NTMFS4C08NT1G-001 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 52A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 760mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,606

NTMFS4C022NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A 136A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 136A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3071pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 64W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存8,514

NTMFS4C024NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.57W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,112

NTMFS4C024NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.57W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存8,136

NTMFS4C025NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存3,096

NTMFS4C025NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存2,844

NTMFS4C027NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,814

NTMFS4C027NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存6,534

NTMFS4C028NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1252pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存8,910

NTMFS4C028NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1252pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,778

NTMFS4C029NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 987pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存88,330

NTMFS4C029NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 46A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.88mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 987pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存6,858

NTMFS4C032NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.46W (Ta), 21.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存14,412

NTMFS4C032NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 13A 38A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.35mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.46W (Ta), 21.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,076

NTMFS4C03NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 136A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3071pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 64W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存11,075

NTMFS4C03NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta), 136A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3071pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 64W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,952

NTMFS4C054NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.59W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,706

NTMFS4C054NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22.5A 80A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.54mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2300pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.59W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存8,082

NTMFS4C05NAT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21.7A 78A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.57W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存3,186

NTMFS4C05NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,852

NTMFS4C05NT1G-001

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.9A (Ta), 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,256

NTMFS4C05NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1972pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,182

NTMFS4C06NAT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,424

NTMFS4C06NBT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,778

NTMFS4C06NBT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,040

NTMFS4C06NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,632

NTMFS4C06NT1G-001

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,424

NTMFS4C06NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1683pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,182

NTMFS4C08NAT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存3,186

NTMFS4C08NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1113pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存24,462

NTMFS4C08NT1G-001

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta), 52A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 760mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,606

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