晶體管

型號	描述	庫存
NTMFS5H431NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 40V LOW COSS 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 106A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存4,896
NTMFS5H600NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 60V MOSFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6680pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存2,268
NTMFS5H600NLT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 35A 250A 5DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6680pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存8,406
NTMFS5H610NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 60V LOW COSS 制造商: ON Semiconductor 系列: #3 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 44A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 43W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存2,466
NTMFS5H615NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 60V LOW COSS 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 185A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 49A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4860pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 139W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存4,626
NTMFS5H630NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 6DFN 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,680
NTMFS6B03NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 132A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.4W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,636
NTMFS6B03NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 132A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.4W (Ta), 165W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,790
NTMFS6B05NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 138W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,454
NTMFS6B05NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 138W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,482
NTMFS6B14NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,482
NTMFS6B14NT3G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,550
NTMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 80V 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2085pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,724
NTMFS6H800NLT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 FET 80V 224A 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,996
NTMFS6H800NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH 8 80V NFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 203A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 330µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5530pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存2,520
NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH 8 80V NFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 157A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4120pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存13,080
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH 8 80V NFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 123A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 190µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存7,380
NTMFS6H836NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 80V SO8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 74A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存5,742
NTMFS6H848NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T8 80V SG SO-8FL-U8FL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 57A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 73W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads	庫存8,982
NTMJS0D9N04CLTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T6 40V LL LFPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta), 330A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 190µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 143nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8862pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-LFPAK 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存7,110
NTMJS1D0N04CTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH 6 40V SL NFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 190µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 166W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-LFPAK 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存8,406
NTMJS1D2N04CLTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T6 40V LL LFPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Ta), 237A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-LFPAK 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存8,532
NTMJS1D3N04CTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH 6 40V SL NFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Ta), 235A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 128W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-LFPAK 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存7,254
NTMJS1D5N04CLTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 FET 40V 185A 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,906
NTMJS1D6N06CLTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 T6 60V LL LFPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 250A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6660pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-LFPAK 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存3,996
NTMJS1D7N04CTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRENCH 6 40V SL NFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 185A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 106W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-LFPAK 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存7,920
NTMJS2D5N06CLTWG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 155A 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta), 113A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 135µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 113A (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-LFPAK 包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing	庫存4,320
NTMKB4895NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 66A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1644pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8) 包裝/箱: 4-ICEPAK	庫存3,528
NTMKE4891NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26.7A (Ta), 151A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4360pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) 包裝/箱: 5-ICEPAK	庫存8,262
NTMKE4892NT1G ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 148A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) 包裝/箱: 5-ICEPAK	庫存4,734

NTMFS5H431NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 40V LOW COSS

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 106A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存4,896

NTMFS5H600NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 60V MOSFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6680pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存2,268

NTMFS5H600NLT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 35A 250A 5DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6680pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存8,406

NTMFS5H610NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 60V LOW COSS

制造商: ON Semiconductor
系列: #3
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 44A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 880pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 43W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存2,466

NTMFS5H615NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 60V LOW COSS

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 185A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 49A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4860pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存4,626

NTMFS5H630NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 6DFN

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,680

NTMFS6B03NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 132A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.4W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,636

NTMFS6B03NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta), 132A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.4W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,790

NTMFS6B05NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 104A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 138W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,454

NTMFS6B05NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 104A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 138W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,482

NTMFS6B14NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,482

NTMFS6B14NT3G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,550

NTMFS6D1N08HT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 80V

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta), 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2085pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,724

NTMFS6H800NLT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

FET 80V 224A

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,996

NTMFS6H800NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH 8 80V NFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 203A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 330µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5530pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存2,520

NTMFS6H801NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH 8 80V NFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 157A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4120pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存13,080

NTMFS6H818NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH 8 80V NFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 123A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 190µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存7,380

NTMFS6H836NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 80V SO8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 74A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 95µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存5,742

NTMFS6H848NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T8 80V SG SO-8FL-U8FL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 57A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1180pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 73W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱: 8-PowerTDFN, 5 Leads

庫存8,982

NTMJS0D9N04CLTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T6 40V LL LFPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta), 330A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 190µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 143nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8862pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-LFPAK
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存7,110

NTMJS1D0N04CTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH 6 40V SL NFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 190µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6100pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 166W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-LFPAK
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存8,406

NTMJS1D2N04CLTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T6 40V LL LFPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Ta), 237A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-LFPAK
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存8,532

NTMJS1D3N04CTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH 6 40V SL NFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 41A (Ta), 235A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 128W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-LFPAK
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存7,254

NTMJS1D5N04CLTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

FET 40V 185A

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,906

NTMJS1D6N06CLTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

T6 60V LL LFPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Ta), 250A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6660pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-LFPAK
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存3,996

NTMJS1D7N04CTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRENCH 6 40V SL NFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 185A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 130µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 106W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-LFPAK
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存7,920

NTMJS2D5N06CLTWG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 155A

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta), 113A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 135µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3600pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 113A (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-LFPAK
包裝/箱: 8-PowerSMD, Gull Wing

庫存4,320

NTMKB4895NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 66A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1644pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)
包裝/箱: 4-ICEPAK

庫存3,528

NTMKE4891NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26.7A (Ta), 151A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4360pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
包裝/箱: 5-ICEPAK

庫存8,262

NTMKE4892NT1G

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 148A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
包裝/箱: 5-ICEPAK

庫存4,734

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