晶體管

型號	描述	庫存
PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK33 包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33	庫存12,522
PSMNR58-30YLHX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.16nF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: - 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SOT-1023, 4-LFPAK	庫存7,308
PSMNR70-30YLHX Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PSMNR70-30YLH/SOT669/LFPAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.852nF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: - 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱: SC-100, SOT-669	庫存8,964
PSMNR70-40SSHJ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PSMNR70-40SSH/SOT1235/LFPAK88 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 425A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 202nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15719pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 375W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK88 (SOT1235) 包裝/箱: SOT-1235	庫存3,150
PSMNR90-30BL,118 Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 243nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14850pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 306W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存27,312
PSMNR90-40SSHJ Nexperia	晶體管-FET，MOSFET-單 PSMNR90-40SSH/SOT1235/LFPAK88 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12888pF @ 25V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 375W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LFPAK88 (SOT1235) 包裝/箱: SOT-1235	庫存4,590
QS5U12TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存3,564
QS5U13TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存28,914
QS5U16TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存5,328
QS5U17TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存27,978
QS5U21TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存7,074
QS5U23TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存7,578
QS5U26TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存3,114
QS5U27TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存7,614
QS5U28TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存22,920
QS5U33TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存5,004
QS5U34TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存5,382
QS5U36TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT5 包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	庫存7,146
QS6U22TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,412
QS6U24TR Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.25W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95) 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存82,878
R4008ANDTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CPT3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,988
R5005CNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,776
R5005CNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A TO220 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存10,416
R5007ANJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,744
R5007ANX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7A TO220 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存9,348
R5007FNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7A TO220 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存10,140
R5009ANJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A LPTS 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存3,528
R5009ANX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO220 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存16,464
R5009FNJTL Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A LPT 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 840mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: LPTS 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,066
R5009FNX Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 840mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220FM 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存13,548

PSMN9R8-30MLC,115

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.95V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK33
包裝/箱: SOT-1210, 8-LFPAK33

庫存12,522

PSMNR58-30YLHX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.16nF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: -
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SOT-1023, 4-LFPAK

庫存7,308

PSMNR70-30YLHX

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PSMNR70-30YLH/SOT669/LFPAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.852nF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: -
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱: SC-100, SOT-669

庫存8,964

PSMNR70-40SSHJ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PSMNR70-40SSH/SOT1235/LFPAK88

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 425A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 202nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15719pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 375W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK88 (SOT1235)
包裝/箱: SOT-1235

庫存3,150

PSMNR90-30BL,118

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 243nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14850pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 306W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存27,312

PSMNR90-40SSHJ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

PSMNR90-40SSH/SOT1235/LFPAK88

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12888pF @ 25V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 375W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LFPAK88 (SOT1235)
包裝/箱: SOT-1235

庫存4,590

QS5U12TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存3,564

QS5U13TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存28,914

QS5U16TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存5,328

QS5U17TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存27,978

QS5U21TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存7,074

QS5U23TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存7,578

QS5U26TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存3,114

QS5U27TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存7,614

QS5U28TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存22,920

QS5U33TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存5,004

QS5U34TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存5,382

QS5U36TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT5
包裝/箱: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

庫存7,146

QS6U22TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,412

QS6U24TR

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 90pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSMT6 (SC-95)
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存82,878

R4008ANDTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CPT3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,988

R5005CNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,776

R5005CNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A TO220

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存10,416

R5007ANJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,744

R5007ANX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7A TO220

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存9,348

R5007FNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7A TO220

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存10,140

R5009ANJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A LPTS

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存3,528

R5009ANX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO220

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存16,464

R5009FNJTL

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A LPT

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 840mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: LPTS
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,066

R5009FNX

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 840mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220FM
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存13,548

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