晶體管

型號	描述	庫存
SI3495DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,808
SI3499DV-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,542
SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存90,696
SI3805DV-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,142
SI3805DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,722
SI3812DV-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 830mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,650
SI3812DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 830mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存6,246
SI3851DV-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 830mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存2,268
SI3853DV-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 500mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 830mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,326
SI3853DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 500mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值）: 830mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,868
SI3867DV-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存8,802
SI3867DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,724
SI3879DV-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,166
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP 制造商: Vishay Siliconix 系列: LITTLE FOOT® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-TSOP 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存6,246
SI4004DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,580
SI4010DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3595pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,844
SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4070pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存3,672
SI4048DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,280
SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存102,600
SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存25,920
SI4062DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3175pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 7.8W (Tc) 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,970
SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,490
SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存65,082
SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存24,984
SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 203nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8190pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 6W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存40,512
SI4102DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存5,418
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,894
SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHAN 30V SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen III FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存20,568
SI4104DY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 446pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,464
SI4104DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 446pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存2,484

SI3495DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,808

SI3499DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,542

SI3499DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存90,696

SI3805DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,142

SI3805DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 10V
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,722

SI3812DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 830mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,650

SI3812DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 600mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 830mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存6,246

SI3851DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 830mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存2,268

SI3853DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 500mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 830mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,326

SI3853DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 500mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）: 830mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,868

SI3867DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存8,802

SI3867DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 51mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,724

SI3879DV-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,166

SI3879DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

制造商: Vishay Siliconix
系列: LITTLE FOOT®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 3.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-TSOP
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存6,246

SI4004DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,580

SI4010DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3595pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,844

SI4038DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 42.5A 8-SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4070pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存3,672

SI4048DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,280

SI4056DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存102,600

SI4058DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存25,920

SI4062DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3175pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 7.8W (Tc)
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,970

SI4090DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,490

SI4100DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存65,082

SI4100DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存24,984

SI4101DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 203nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8190pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存40,512

SI4102DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存5,418

SI4102DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 370pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,894

SI4103DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 30V SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen III
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存20,568

SI4104DY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 446pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,464

SI4104DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 446pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存2,484

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message