晶體管

型號	描述	庫存
SI8465DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA	庫存8,406
SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-UFBGA, WLCSP	庫存152,556
SI8467DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA	庫存3,580
SI8469DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-UFBGA	庫存4,266
SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Micro Foot (1x1) 包裝/箱: 4-UFBGA	庫存7,884
SI8473EDB-T1-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA	庫存4,140
SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA	庫存3,366
SI8481DB-T1-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen III FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) 包裝/箱: 4-UFBGA	庫存2,100
SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1840pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.77W (Ta), 13W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 包裝/箱: 6-UFBGA	庫存2,034
SI8487DB-T1-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2240pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-UFBGA	庫存8,244
SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 765pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-UFBGA	庫存4,716
SI8497DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.77W (Ta), 13W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-microfoot 包裝/箱: 6-UFBGA	庫存25,470
SI8499DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.77W (Ta), 13W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-Micro Foot™ (1.5x1) 包裝/箱: 6-UFBGA	庫存154,878
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA	庫存5,670
SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 8V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存107,040
SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存4,086
SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存8,568
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-UFBGA	庫存376,464
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存4,608
SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 245pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存7,866
SI8812DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 8V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-UFBGA	庫存4,284
SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存686,598
SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存25,386
SI8819EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 3.7V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存7,038
SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA	庫存111,234
SI8823EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen III FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存5,130
SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-Microfoot 包裝/箱: 4-XFBGA	庫存215,514
SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 660mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: Power Micro Foot® (2.4x2) 包裝/箱: 30-XFBGA	庫存2,196
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存19,416
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存20,982

SI8465DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 450pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA

庫存8,406

SI8466EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-UFBGA, WLCSP

庫存152,556

SI8467DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA

庫存3,580

SI8469DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-UFBGA

庫存4,266

SI8472DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Micro Foot (1x1)
包裝/箱: 4-UFBGA

庫存7,884

SI8473EDB-T1-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA

庫存4,140

SI8475EDB-T1-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA

庫存3,366

SI8481DB-T1-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen III
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
包裝/箱: 4-UFBGA

庫存2,100

SI8483DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1840pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.77W (Ta), 13W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
包裝/箱: 6-UFBGA

庫存2,034

SI8487DB-T1-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2240pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-UFBGA

庫存8,244

SI8489EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 765pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-UFBGA

庫存4,716

SI8497DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1320pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.77W (Ta), 13W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-microfoot
包裝/箱: 6-UFBGA

庫存25,470

SI8499DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.77W (Ta), 13W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
包裝/箱: 6-UFBGA

庫存154,878

SI8800EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA

庫存5,670

SI8802DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存107,040

SI8805EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存4,086

SI8806DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存8,568

SI8808DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-UFBGA

庫存376,464

SI8809EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存4,608

SI8810EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 245pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存7,866

SI8812DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 8V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-UFBGA

庫存4,284

SI8816EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 195pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存686,598

SI8817DB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 615pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存25,386

SI8819EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 3.7V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存7,038

SI8821EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA, CSPBGA

庫存111,234

SI8823EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen III
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存5,130

SI8824EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-Microfoot
包裝/箱: 4-XFBGA

庫存215,514

SI8851EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 660mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: Power Micro Foot® (2.4x2)
包裝/箱: 30-XFBGA

庫存2,196

SI9407BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存19,416

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存20,982

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