晶體管

型號	描述	庫存
SIR460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2071pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存8,208
SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1155pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存51,552
SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3545pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,808
SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存24,240
SIR468DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1720pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存27,630
SIR470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5660pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存25,812
SIR472ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,364
SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,268
SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 985pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存8,532
SIR474DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A POWERPAKSO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 985pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 29.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,238
SIR476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6150pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,582
SIR482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1575pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,662
SIR484DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 17.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,644
SIR492DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.2W (Ta), 36W (Tc) 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存2,520
SIR494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,650
SIR496DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,418
SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存28,200
SIR606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 6V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 44.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存24,090
SIR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 45V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Ta), 208A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,834
SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,992
SIR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 7.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存4,068
SIR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 7.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存3,544
SIR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 7.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1516pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存57,408
SIR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1516pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,344
SIR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 7.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存22,290
SIR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 7.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5130pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存25,488
SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45.6A (Ta), 186A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存7,470
SIR632DP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO 制造商: Vishay Siliconix 系列: ThunderFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 7.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 69.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存5,364
SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存23,568
SIR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 204nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 包裝/箱: PowerPAK® SO-8	庫存27,906

SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2071pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存8,208

SIR462DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1155pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存51,552

SIR464DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3545pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5.2W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,808

SIR466DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存24,240

SIR468DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1720pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存27,630

SIR470DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5660pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存25,812

SIR472ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,364

SIR472DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,268

SIR474DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 985pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存8,532

SIR474DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A POWERPAKSO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 985pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 29.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,238

SIR476DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6150pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,582

SIR482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1575pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,662

SIR484DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,644

SIR492DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3720pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.2W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存2,520

SIR494DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,650

SIR496DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1570pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 27.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,418

SIR606BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 5W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存28,200

SIR606DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 6V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1360pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 44.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存24,090

SIR608DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 45V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A (Ta), 208A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 167nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8900pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,834

SIR610DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,992

SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 7.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1450pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存4,068

SIR618DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 7.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存3,544

SIR622DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 7.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1516pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存57,408

SIR622DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1516pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,344

SIR624DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 7.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1110pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存22,290

SIR626DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 7.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5130pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存25,488

SIR626LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5900pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存7,470

SIR632DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

制造商: Vishay Siliconix
系列: ThunderFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 29A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 7.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存5,364

SIR638ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存23,568

SIR638DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 204nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10500pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8
包裝/箱: PowerPAK® SO-8

庫存27,906

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