晶體管

SISS32DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen IV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1930pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS40DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: ThunderFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 845pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS42DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen IV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 57W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS42LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 39A PP 1212-8S

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen IV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.3A (Ta), 39A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2058pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4.8W (Ta), 57W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS46DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen IV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2140pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5W (Ta), 65.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS60DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen IV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: +16V, -12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3960pF @ 15V
• FET功能: Schottky Diode (Body)
• 功耗（最大值）: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS61DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V PPAK 1212-8S

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen III
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 231nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8740pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS64DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen IV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68nC @ 10V
• Vgs（最大）: +20V, -16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3420pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 57W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS65DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen III
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 138nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4930pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS66DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen IV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: +20V, -16V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3327pF @ 15V
• FET功能: Schottky Diode (Body)
• 功耗（最大值）: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS67DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen III
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 111nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4380pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS70DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 125V

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 125V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Ta), 31A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 535pF @ 62.5V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS71DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: ThunderFET®
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 50V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 57W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS72DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 25.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 75V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS73DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 150V PP 1212-8

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 719pF @ 75V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS92DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 173mOhm @ 3.6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 125V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8S

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SISS98DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: ThunderFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.1A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 7.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 7.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608pF @ 100V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 57W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8
• 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8

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SIUD401ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen III
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 33pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 0806
• 包裝/箱: PowerPAK® 0806

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SIUD402ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 730mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 8V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 0806
• 包裝/箱: PowerPAK® 0806

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SIUD403ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET® Gen III
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 0806
• 包裝/箱: PowerPAK® 0806

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SIUD406ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 0806
• 包裝/箱: PowerPAK® 0806

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SIUD412ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.71nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 21pF @ 6V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.25W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: PowerPAK® 0806
• 包裝/箱: PowerPAK® 0806

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SK830321KL

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7A 8HSSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 18A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 519µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 658pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 13W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSSO8-F3-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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SK8403160L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 70A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 14.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 3.35mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3920pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 28W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSSO8-F1-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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SK8403170L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 59A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 2.56mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 24.6W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSSO8-F1-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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SK8403180L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 39A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.1mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1.45mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 19W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSSO8-F1-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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SK8403190L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 19A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1.01mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1092pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2W (Ta), 19W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSSO8-F1-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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SK8603140L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 25A 8HSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Ta), 103A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 23A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 5.85mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6860pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSO8-F4-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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SK8603150L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 26A 8HSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta), 89A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 4.38mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5180pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.9W (Ta), 34W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSO8-F4-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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SK8603160L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 70A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 17A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 3.35mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3920pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 28W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: HSO8-F4-B
• 包裝/箱: 8-PowerSMD, Flat Leads

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