晶體管

APTGT100DA170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 150A 560W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 560W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100DA60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP1
• 供應商設備包裝: SP1

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APTGT100DA60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 150A 340W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100DDA60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH BOOST CHOP SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual Boost Chopper
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT100DH120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Asymmetrical Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100DH170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Asymmetrical Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 560W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT100DH60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 600V 150A SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Asymmetrical Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT100DH60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Asymmetrical Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100DSK60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual Buck Chopper
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT100DU120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100DU170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT DUAL SOURCE 1700V 150A SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 560W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100DU60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Dual, Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100H120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT100H170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 560W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT100H60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT100H60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Full Bridge Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100SK120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 150A 520W D1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 520W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 3mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D1
• 供應商設備包裝: D1

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APTGT100SK120TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1200V 140A 480W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100SK170D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 200A 695W D1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 功率-最大: 695W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 3mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 8.5nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D1
• 供應商設備包裝: D1

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APTGT100SK170TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 150A 560W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 560W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100SK60T1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 150A 340W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100SK60TG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 600V 150A 340W SP4

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Single
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP4
• 供應商設備包裝: SP4

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APTGT100TA120TPG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 140A SP6-P

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Phase
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 功率-最大: 480W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 7.2nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: SP6-P

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APTGT100TA60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Phase
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6-P

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APTGT100TDU60PG

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRIPLE DUAL SRC SP6P

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Triple, Dual - Common Source
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6-P

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APTGT100TL170G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 560W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 9nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: SP6

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APTGT100TL60T3G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 3LEVEL INVERTER SP3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Three Level Inverter
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 功率-最大: 340W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 100A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 6.1nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: Yes
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP3
• 供應商設備包裝: SP3

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APTGT150A1202G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

MOD IGBT 1200V 220A SP2

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A
• 功率-最大: 690W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.7nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP2
• 供應商設備包裝: SP2

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APTGT150A120D1G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A
• 功率-最大: 700W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: 4mA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.8nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: D1
• 供應商設備包裝: D1

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APTGT150A120G

Microsemi

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 配置: Half Bridge
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 220A
• 功率-最大: 690W
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 150A
• 當前-集電極截止（最大值）: 350µA
• 輸入電容（Cies）@ Vce: 10.7nF @ 25V
• 輸入: Standard
• NTC熱敏電阻: No
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SP6
• 供應商設備包裝: SP6

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