晶體管

2SA1593T-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 2A TP-FA

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: 2-TP-FA

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2SA1611(0)-T2-A

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR PNP SC70-3

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 1mA, 6V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 180MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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2SA1619ARA

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.5A TO-92NL

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92NL-A1

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2SA1619ASA

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.5A TO-92NL

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 170 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92NL-A1

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2SA1667

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 150V 2A TO220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 70mA, 700mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 700mA, 10V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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2SA1668

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 2A TO220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 70mA, 700mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 700mA, 10V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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2SA1673

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 180V 15A TO3PF

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 85W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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2SA16740SA

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A MT-2

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 170 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 3-SIP
• 供應商設備包裝: MT-2-A1

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2SA1680,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SA1680(F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SA1680,T6ASTIF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SA1680(T6DNSO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SA1680,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SA1680,T6SCMDF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SA1693

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 6A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 2A, 4V
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SA1694

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 120V 8A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SA1695

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 10A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SA1705S-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 1A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1705T-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 1A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1706S-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 2A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1706T-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 2A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1707S-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 3A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1707T-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 3A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1708S-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 1A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 40mA, 400mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1708S-YMH-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS BIPO NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SA1708T-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 1A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 40mA, 400mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1709S-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 2A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1709S-EPN-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS BIPO NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2SA1709T-AN

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 2A NMP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: 3-NMP

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2SA1721OTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 100MA TO236-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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