晶體管

2SB1116-U-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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2SB1121S-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 2A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1121T-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 2A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1122S-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 1A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1122T-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 1A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1123S-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 2A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1123T-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 2A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1124S-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 3A PCP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1124S-TD-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 3A PCP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1124T-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 3A PCP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1124T-TD-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 3A PCP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SB1132-P-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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2SB1132-Q-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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2SB1132-R-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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2SB1132T100P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 32V 1A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SB1132T100Q

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 32V 1A SO-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SB1132T100R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 32V 1A SOT-89

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: MPT3

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2SB1140-R-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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2SB1140-S-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 170 @ 200mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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2SB1143S

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 4A TO-126ML

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126ML

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2SB1143T

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 4A TO-126ML

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 100mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126ML

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2SB1151-G-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126

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2SB1151-O-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126

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2SB1151-Y-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR TO-92 MOD

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 1.25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-126

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2SB11540Q

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 10A TOP-3F

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 3A, 2V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TOP-3F
• 供應商設備包裝: TOP-3F-A1

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2SB11560P

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 20A TOP-3F

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 130 @ 3A, 2V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TOP-3F
• 供應商設備包裝: TOP-3F-A1

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2SB1181TLP

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SB1181TLQ

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SB1181TLR

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 1A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 3V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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2SB1182TLQ

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 32V 2A SOT-428

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 32V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 500mA, 3V
• 功率-最大: 10W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: CPT3

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