晶體管

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

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• 功率-最大: 800mW
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3

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• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
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• 功率-最大: 900mW
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
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• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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晶體管-雙極（BJT）-單

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• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
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• 功率-最大: 900mW
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晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

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• 功率-最大: 900mW
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晶體管-雙極（BJT）-單

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晶體管-雙極（BJT）-單

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• 功率-最大: 900mW
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• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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2SC2235-Y(T6FJT,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• 供應商設備包裝: TO-92MOD

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