晶體管

2SC3649S-TD-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.5A PCP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC3649T-TD-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC3649T-TD-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.5A PCP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: PCP

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2SC3665-Y,T2F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3665-Y,T2NSF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3665-Y(T2NSW,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3665-Y,T2YNSF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800MA 120V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3668-O,T2CLAF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 50V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3668-Y,F2PANF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 50V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3668-Y,T2F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 50V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3668-Y,T2F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 50V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3668-Y,T2WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 50V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3669-Y(T2OMI,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 80V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3669-Y,T2PASF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 2A 80V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC3672-O(T2ASH,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100MA 300V SC71

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 80MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SC-71
• 供應商設備包裝: MSTM

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2SC370400L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 10V 0.08A MINI-3P

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 20mA, 8V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 6GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SC370700L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 7V 0.01A MINI-3

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 7V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 1V
• 功率-最大: 50mW
• 頻率-過渡: 4GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SC3743

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 800V 3A TO-220F

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 800V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 160mA, 800mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 6 @ 100mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F-A1

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2SC37570RL

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.1A MINI-3P

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 450MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SC382900L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 10V 0.08A MINI-3P

• 制造商: Panasonic Electronic Components
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 20mA, 8V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 6GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: Mini3-G1

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2SC3835

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 7A TO3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 70W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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2SC3837KT146N

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.05A SOT-346

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 1.5GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3

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2SC3837KT146P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.05A SOT-346

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 1.5GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3

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2SC3838KT146N

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 11V 0.05A SOT-346

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 11V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 10V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 3.2GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3

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2SC3838KT146P

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 11V 0.05A SOT-346

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 11V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 10V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 3.2GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SMT3

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2SC3851

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 4A TO-220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: 15MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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2SC3851A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 4A TO220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: 15MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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2SC3852

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 500mA, 4V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: 15MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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2SC3852A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 3A TO220F

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 500mA, 4V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: 15MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F

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2SC3856

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 180V 15A TO-3P

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 130W
• 頻率-過渡: 20MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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