晶體管

2STX1360

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO 92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 150mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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2STX1360-AP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO 92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 150mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92AP

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2STX2220

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 20V 1.5A TO-92

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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30A02CH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.7A CPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 700mW
• 頻率-過渡: 520MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-96
• 供應商設備包裝: 3-CPH

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30A02MH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 520MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 3-MCPH

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30A02MH-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 520MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: 3-MCPH

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30C02CH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.7A CPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 700mW
• 頻率-過渡: 540MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-96
• 供應商設備包裝: 3-CPH

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30C02MH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 540MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: 3-MCPH

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30C02MH-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 540MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: 3-MCPH

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3STF1640

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS NPN HP SOT89

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 170mV @ 300mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89

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3STL2540

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 5A POWERFLAT3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 10mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 210 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-PowerUDFN
• 供應商設備包裝: PowerFlat™ (2x2)

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3STR1630

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 6A SOT-23-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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4885-MPSA42

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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495220TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 325V 4A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 325V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 5mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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495220TU_SN00120

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 325V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 5mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 40W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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500-00001

Parallax

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN SW HS 200MA

• 制造商: Parallax Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)

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50A02CH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.5A CPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 700mW
• 頻率-過渡: 690MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: 3-CPH

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50A02CH-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.5A CPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 700mW
• 頻率-過渡: 690MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: 3-CPH

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50A02MH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.5A MCPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 690MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 3-MCPH

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50A02SS-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 50V 0.4A SSFP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 690MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-81
• 供應商設備包裝: 3-SSFP

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50C02CH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.5A CPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 700mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: 3-CPH

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50C02MH-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.5A MCPH3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 3-MCPH

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50C02SS-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.4A SSFP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 3-SSFP

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5885-2N5434

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

BIP T03 NPN 25A 60V

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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6385_2N2907A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-18

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6585_2N4209

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 850MHz
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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6685_2N3906

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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6685-MMBT3906

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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6686-2N3906

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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6785_2N4033

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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