晶體管

型號	描述	庫存
BC549ABU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,106
BC549ATA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,878
BC549B ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,924
BC549B A1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存3,654
BC549B B1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,066
BC549BBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,232
BC549B_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,688
BC549BTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,930
BC549BTAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,652
BC549BTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存48,630
BC549BTFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,406
BC549BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,726
BC549C ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,078
BC549C,112 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,722
BC549C A1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存8,208
BC549C B1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存3,384
BC549CBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,430
BC549CG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 250MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,364
BC549C_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,042
BC549CTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存95,214
BC549CTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,196
BC549CTFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,670
BC549_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,084
BC549TAR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,364
BC549TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,932
BC549TFR ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,946
BC54PA,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 1A SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-PowerUDFN 供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)	庫存2,160
BC54PASX Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單 IC TRANS NPN 1A 45V SOT1061 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V 功率-最大: 420mW 頻率-過渡: 180MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN2020D-3	庫存54,618
BC550 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,136
BC550A A1G Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92	庫存3,168

BC549ABU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,106

BC549ATA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,878

BC549B

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,924

BC549B A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存3,654

BC549B B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,066

BC549BBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,232

BC549B_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,688

BC549BTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,930

BC549BTAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,652

BC549BTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存48,630

BC549BTFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,406

BC549BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,726

BC549C

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,078

BC549C,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,722

BC549C A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存8,208

BC549C B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存3,384

BC549CBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,430

BC549CG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 250MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,364

BC549C_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,042

BC549CTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存95,214

BC549CTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,196

BC549CTFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,670

BC549_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,084

BC549TAR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,364

BC549TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,932

BC549TFR

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,946

BC54PA,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 1A SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-PowerUDFN
供應商設備包裝: 3-HUSON (2x2)

庫存2,160

BC54PASX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

IC TRANS NPN 1A 45V SOT1061

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 63 @ 150mA, 2V
功率-最大: 420mW
頻率-過渡: 180MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN2020D-3

庫存54,618

BC550

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,136

BC550A A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92

庫存3,168

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