晶體管

BC850CW,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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BC850CW,135

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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BC850CWE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BC850CWH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BC850CW RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 420A

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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BC850CW/ZLF

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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BC850CW/ZLX

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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BC856,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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BC856A,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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BC856A-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC 856A E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC856A-HF

Comchip Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 100A SOT23

• 制造商: Comchip Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2.2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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BC856ALT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC856ALT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC856ALT3

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC856ALT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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BC856AMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 110 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 310mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC856A RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, PNP, -65V, -0.1A, 12

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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BC856AT,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SC-75

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75

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BC856A-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 310mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

加入購物車更新到購物車

BC856AW,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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BC856AW,135

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70

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BC856AW-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

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BC856AW-G

Comchip Technology

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 100A SOT23

• 制造商: Comchip Technology
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SOT-323

加入購物車更新到購物車

BC856B-13-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 310mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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BC856B,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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BC856B,235

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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BC856B-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BC856B/DG/B3,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS GEN PURPOSE TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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BC856B/DG/B3,235

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS GEN PURPOSE TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 125 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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