晶體管

DXT13003DK-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 1.5A TO252

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 250mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 16 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1.6W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)

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DXT13003EK-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 460V 1.5A TO252

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 460V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 250mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 300mA, 2V
• 功率-最大: 1.6W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252-2

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DXT2010P5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 6A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 260mV @ 300mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT2011P5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 6A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT2011P5Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 220mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT2012P5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 2A, 1V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT2013P5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 5A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 340mV @ 400mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: 125MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT2014P5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 140V 4A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 360mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: 120MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT2222A-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT2907A-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT3150-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 220MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT3904-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT3906-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT458P5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 2.8W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT5401-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT5551-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT5551P5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 2.25W
• 頻率-過渡: 130MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT5551P5Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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DXT651-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT651Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 140MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT690BP5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 3A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 150mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 740mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT690BP5Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V HIGH GAIN PDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 150mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 740mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXT696BK-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 180V 0.5A TO252

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 180V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 200mA, 5V
• 功率-最大: 3.9W
• 頻率-過渡: 70MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252

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DXT751-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 145MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT751Q-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXT790AP5-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 3A POWERDI5

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 3.2W
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: PowerDI™ 5
• 供應商設備包裝: PowerDI™ 5

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DXTA42-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXTA92-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SOT-89-3

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DXTN07025BFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 240MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN
• 供應商設備包裝: PowerDI3333-8

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DXTN07045DFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 100mA, 2V
• 功率-最大: 900mW
• 頻率-過渡: 150MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-PowerVDFN
• 供應商設備包裝: PowerDI3333-8

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