晶體管

型號	描述	庫存
FMMTL720TC Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 5V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,790
FMS1AT148 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS GP PNP 50V 5 PIN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,434
FMW3T148 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS GP NPN 120V 5 PIN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,930
FMW4T148 Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS GP NPN 120V 5 PIN 制造商: Rohm Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,140
FPN330 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存8,622
FPN330A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存2,880
FPN430 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 2A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存2,142
FPN430A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 2A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存7,650
FPN530 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存7,938
FPN530A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存4,608
FPN560 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存6,876
FPN560A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存8,082
FPN560A_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,778
FPN560A_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,870
FPN560A_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,210
FPN630 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存6,894
FPN630A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存4,878
FPN660 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存8,154
FPN660A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝: TO-226	庫存6,318
FPN660A_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-226	庫存3,006
FPN660A_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-226	庫存4,392
FPN660A_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 3A TO-226 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-226	庫存5,076
FSB560 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 2A SSOT-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-SSOT	庫存3,384
FSB560A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 60V 2A SSOT-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-SSOT	庫存148,128
FSB619 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 2A SSOT-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 320mV @ 50mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 100MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-SSOT	庫存54,348
FSB649 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 25V 3A SSOT-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 150MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SuperSOT-3	庫存3,150
FSB660 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 2A SSOT-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-SSOT	庫存7,866
FSB660A ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 2A SSOT-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: 75MHz 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-SSOT	庫存8,766
FSB6714 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 3-SSOT 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 功率-最大: - 頻率-過渡: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-SSOT	庫存2,412
FSB6726 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 30V 1.5A SSOT-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1A, 1V 功率-最大: 500mW 頻率-過渡: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SuperSOT-3	庫存6,714

FMMTL720TC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 10nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 500mA, 5V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,790

FMS1AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS GP PNP 50V 5 PIN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,434

FMW3T148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS GP NPN 120V 5 PIN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,930

FMW4T148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS GP NPN 120V 5 PIN

制造商: Rohm Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,140

FPN330

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存8,622

FPN330A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存2,880

FPN430

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 2A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存2,142

FPN430A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 2A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存7,650

FPN530

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存7,938

FPN530A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存4,608

FPN560

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存6,876

FPN560A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存8,082

FPN560A_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,778

FPN560A_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,870

FPN560A_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,210

FPN630

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存6,894

FPN630A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 100mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存4,878

FPN660

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存8,154

FPN660A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝: TO-226

庫存6,318

FPN660A_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-226

庫存3,006

FPN660A_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-226

庫存4,392

FPN660A_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 3A TO-226

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-226

庫存5,076

FSB560

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 2A SSOT-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-SSOT

庫存3,384

FSB560A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 2A SSOT-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-SSOT

庫存148,128

FSB619

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 2A SSOT-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 320mV @ 50mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 100MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-SSOT

庫存54,348

FSB649

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 3A SSOT-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1A, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 150MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SuperSOT-3

庫存3,150

FSB660

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 2A SSOT-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 350mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 500mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-SSOT

庫存7,866

FSB660A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 2A SSOT-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 250 @ 500mA, 2V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: 75MHz
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-SSOT

庫存8,766

FSB6714

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 3-SSOT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
功率-最大: -
頻率-過渡: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-SSOT

庫存2,412

FSB6726

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 1.5A SSOT-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1A, 1V
功率-最大: 500mW
頻率-過渡: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SuperSOT-3

庫存6,714

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