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晶體管

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頁面 624/2164
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描述
庫存
數量
DDTB122LU-7
DDTB122LU-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 220 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存7,938
DDTB122LU-7-F
DDTB122LU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 220 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存29,052
DDTB122TC-7
DDTB122TC-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 220 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存4,752
DDTB122TC-7-F
DDTB122TC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 220 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存7,056
DDTB122TU-7
DDTB122TU-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 220 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存3,562
DDTB122TU-7-F
DDTB122TU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 220 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存25,650
DDTB123EC-7-F
DDTB123EC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 39 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存24,702
DDTB123EU-7-F
DDTB123EU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 39 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存3,096
DDTB123TC-7-F
DDTB123TC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存7,866
DDTB123TU-7-F
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Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存2,952
DDTB123YC-7-F
DDTB123YC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存7,506
DDTB123YU-7-F
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Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存27,948
DDTB133HC-7-F
DDTB133HC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 3.3 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存7,254
DDTB133HU-7-F
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Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 3.3 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存5,058
DDTB142JC-7
DDTB142JC-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存5,454
DDTB142JC-7-F
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Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存8,244
DDTB142JU-7
DDTB142JU-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存7,686
DDTB142JU-7-F
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Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存3,526
DDTB142TC-7
DDTB142TC-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存3,852
DDTB142TC-7-F
DDTB142TC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存89,880
DDTB142TU-7-F
DDTB142TU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存27,846
DDTB143EC-7-F
DDTB143EC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 47 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存6,714
DDTB143EU-7-F
DDTB143EU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 47 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存4,572
DDTB143TC-7-F
DDTB143TC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存6,768
DDTB143TU-7-F
DDTB143TU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存3,690
DDTC113TCA-7
DDTC113TCA-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存2,898
DDTC113TCA-7-F
DDTC113TCA-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存7,938
DDTC113TE-7
DDTC113TE-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-523
  • 供應商設備包裝: SOT-523
庫存4,680
DDTC113TE-7-F
DDTC113TE-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 150mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-523
  • 供應商設備包裝: SOT-523
庫存5,490
DDTC113TKA-7-F
DDTC113TKA-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59-3
庫存3,276