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晶體管

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頁面 633/2164
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型號
描述
庫存
數量
DDTD122TU-7-F
DDTD122TU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 220 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存7,200
DDTD123EC-7-F
DDTD123EC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 39 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存4,950
DDTD123EU-7-F
DDTD123EU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 39 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存5,022
DDTD123TC-7-F
DDTD123TC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存1,671,150
DDTD123TU-7-F
DDTD123TU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存3,312
DDTD123YC-7-F
DDTD123YC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存27,696
DDTD123YU-7-F
DDTD123YU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存6,048
DDTD133HC-7-F
DDTD133HC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 3.3 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存222,618
DDTD133HU-7-F
DDTD133HU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 3.3 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存7,128
DDTD142JC-7
DDTD142JC-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存5,310
DDTD142JC-7-F
DDTD142JC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存582,984
DDTD142JU-7
DDTD142JU-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存5,832
DDTD142JU-7-F
DDTD142JU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存23,310
DDTD142TC-7
DDTD142TC-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存6,282
DDTD142TC-7-F
DDTD142TC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存4,518
DDTD142TU-7
DDTD142TU-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存6,750
DDTD142TU-7-F
DDTD142TU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 470 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存4,698
DDTD143EC-7-F
DDTD143EC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 47 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存6,840
DDTD143EU-7-F
DDTD143EU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 47 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存8,172
DDTD143TC-7-F
DDTD143TC-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存6,696
DDTD143TU-7-F
DDTD143TU-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SOT-323
庫存26,748
DRA2113Z0L
DRA2113Z0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存22,812
DRA2114E0L
DRA2114E0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存4,482
DRA2114T0L
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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存5,976
DRA2114Y0L
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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存2,502
DRA2115E0L
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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存24,048
DRA2115G0L
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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存2,574
DRA2115T0L
DRA2115T0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存5,040
DRA2123E0L
DRA2123E0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 6 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存6,534
DRA2123J0L
DRA2123J0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G3-B
庫存6,264