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晶體管

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頁面 677/2164
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型號
描述
庫存
數量
MUN2234T1G
MUN2234T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存149,610
MUN2235T1G
MUN2235T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 230mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SC-59-3
庫存7,434
MUN2236T1
MUN2236T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存7,884
MUN2236T1G
MUN2236T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存5,508
MUN2237T1G
MUN2237T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存3,580
MUN2238T1G
MUN2238T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 230mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SC-59-3
庫存2,538
MUN2240T1G
MUN2240T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存5,832
MUN2241T1
MUN2241T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存7,326
MUN2241T1G
MUN2241T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 338mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存7,290
MUN5111T1G
MUN5111T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存788,742
MUN5112T1G
MUN5112T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存146,178
MUN5113T1
MUN5113T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存5,562
MUN5113T1G
MUN5113T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存147,912
MUN5113T3G
MUN5113T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存6,498
MUN5114T1
MUN5114T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存7,686
MUN5114T1G
MUN5114T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存114,312
MUN5115T1
MUN5115T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存7,434
MUN5115T1G
MUN5115T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存2,574
MUN5116T1
MUN5116T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存6,786
MUN5116T1G
MUN5116T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存7,506
MUN5130T1G
MUN5130T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存4,590
MUN5131T1
MUN5131T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存8,370
MUN5131T1G
MUN5131T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存8,730
MUN5132T1G
MUN5132T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存102,918
MUN5133T1G
MUN5133T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存265,914
MUN5134T1G
MUN5134T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存5,940
MUN5135T1
MUN5135T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存6,588
MUN5135T1G
MUN5135T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存3,816
MUN5136T1
MUN5136T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存3,600
MUN5136T1G
MUN5136T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 100 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存5,292