晶體管

記錄 64,903

頁面 852/2164

型號	描述	庫存
AFT18H357-24NR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-1230-4L2L 供應商設備包裝: OM-1230-4L2L	庫存4,392
AFT18H357-24SR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 17.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230-4LS2L 供應商設備包裝: NI-1230-4LS2L	庫存6,066
AFT18HW355SR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.88GHz 增益: 15.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存6,264
AFT18HW355SR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.88GHz 增益: 15.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.1A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存6,480
AFT18P350-4S2LR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.81GHz 增益: 16.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230-4LS2L 供應商設備包裝: NI-1230-4LS2L	庫存6
AFT18S230-12NR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 17.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-780-2L2L 供應商設備包裝: OM-780-2L2L	庫存7,326
AFT18S230SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 19dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.8A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,804
AFT18S230SR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 19dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.8A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S-6 供應商設備包裝: NI-780S-6	庫存174
AFT18S260W31GSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 19.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.8A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780GS-2L2LA 供應商設備包裝: NI-780GS-2L2LA	庫存962
AFT18S260W31SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.88GHz 增益: 19.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.8A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S-2L2LA 供應商設備包裝: NI-780S-2L2LA	庫存7,488
AFT18S290-13SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.96GHz 增益: 18.2dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 2A 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880XS-6 供應商設備包裝: NI-880XS-6	庫存548
AFT20P060-4GNR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.17GHz 增益: 18.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 6.3W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-780G-4L 供應商設備包裝: OM-780G-4L	庫存4,860
AFT20P060-4NR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.17GHz 增益: 18.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 6.3W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM780-4 供應商設備包裝: OM780-4	庫存8,046
AFT20P140-4WGNR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.88GHz ~ 1.91GHz 增益: 17.8dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 500mA 功率-輸出: 24W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM-780G-4L 供應商設備包裝: OM-780G-4L	庫存5,040
AFT20P140-4WNR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 1.88GHz ~ 1.91GHz 增益: 17.8dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 500mA 功率-輸出: 24W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: OM780-4 供應商設備包裝: OM780-4	庫存2,844
AFT20S015GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 17.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 132mA 功率-輸出: 1.5W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270BA 供應商設備包裝: TO-270-2 GULL	庫存15,912
AFT20S015NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 17.6dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 132mA 功率-輸出: 1.5W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270AA 供應商設備包裝: TO-270-2	庫存12,024
AFT21H350W03SR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 16.4dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230S 供應商設備包裝: NI-1230S	庫存8,730
AFT21H350W04GSR6 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.11GHZ 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 16.4dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 63W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-1230S-4 GW 供應商設備包裝: NI-1230S-4 GULL	庫存4,014
AFT21S140W02GSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.14GHz 增益: 19.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780GS-2 供應商設備包裝: NI-780GS-2	庫存6,912
AFT21S140W02SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.14GHz 增益: 19.3dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 800mA 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,434
AFT21S220W02GSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.14GHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780GS-2 供應商設備包裝: NI-780GS-2	庫存6,246
AFT21S220W02SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.14GHz 增益: 19.1dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,408
AFT21S230-12SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780-2L2L 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 16.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存8,244
AFT21S230SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 16.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S-6	庫存184
AFT21S230SR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 16.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S-6	庫存7,794
AFT21S232SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 16.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存184
AFT21S232SR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 16.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.5A 功率-輸出: 50W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存8,136
AFT21S240-12SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780S-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.17GHz 增益: 20.4dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 55W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880XS-2L-2L 供應商設備包裝: NI-880XS-2L-2L	庫存7,884
AFT23H160-25SR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF IC TRANS RF LDMOS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS (Dual) 頻率: 2.3GHz 增益: 16.7dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880X-4L4S-8 供應商設備包裝: NI-880X-4L4S-8	庫存5,652

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