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1N4007GPP TR

1N4007GPP TR

僅供參考

型號 1N4007GPP TR
PNEDA編號 1N4007GPP-TR
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4007GPP TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4007GPP TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4007GPP TR, 1N4007GPP TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 223.77 KB)
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1N4007GPP TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 60V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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