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2N3866

2N3866

僅供參考

型號 2N3866
PNEDA編號 2N3866_105
描述 RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO39
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3866資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3866
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2N3866, 2N3866數據表 (總頁數: 7, 大小: 669.25 KB)
PDF2N3866數據表 封面
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2N3866規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡500MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大5W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.7dB @ 800MHz

增益

13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2.8V

頻率-過渡

65GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

21dB

功率-最大

185mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 50mA, 1.5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

增益

18dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

9.11dB ~ 9.69dB

功率-最大

170W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

27A

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