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61110

61110

僅供參考

型號 61110
PNEDA編號 61110
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

61110資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號61110
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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61110規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

7.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

增益

18dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-343F

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

13.5dB ~ 20.5dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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制造商

CEL

系列

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

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7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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