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APT84F50B2

APT84F50B2

僅供參考

型號 APT84F50B2
PNEDA編號 APT84F50B2
描述 MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT84F50B2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT84F50B2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT84F50B2規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)84A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs340nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1135W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝T-MAX™ [B2]
包裝/箱TO-247-3 Variant

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

28.5W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 48W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.63Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

245W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

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170nC @ 10V

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功耗(最大值)

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