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APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

僅供參考

型號 APTM100DU18TG
PNEDA編號 APTM100DU18TG
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100DU18TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100DU18TG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM100DU18TG, APTM100DU18TG數據表 (總頁數: 6, 大小: 291.01 KB)
PDFAPTM100DU18TG數據表 封面
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APTM100DU18TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)43A
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs372nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10400pF @ 25V
功率-最大780W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

50W

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安裝類型

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2 N-Channel (Dual)

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 25V

功率-最大

18W

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