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BR24G02F-3AGTE2

BR24G02F-3AGTE2

僅供參考

型號 BR24G02F-3AGTE2
PNEDA編號 BR24G02F-3AGTE2
描述 IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR24G02F-3AGTE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR24G02F-3AGTE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR24G02F-3AGTE2, BR24G02F-3AGTE2數據表 (總頁數: 36, 大小: 834.26 KB)
PDFBR24G02-3A數據表 封面
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BR24G02F-3AGTE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.6V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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