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BSL308CL6327HTSA1

BSL308CL6327HTSA1

僅供參考

型號 BSL308CL6327HTSA1
PNEDA編號 BSL308CL6327HTSA1
描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL308CL6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL308CL6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL308CL6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A, 2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs500nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds275pF @ 15V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 50V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

116mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A, 1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 15V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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