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DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

僅供參考

型號 DMN3033LSNQ-7
PNEDA編號 DMN3033LSNQ-7
描述 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 26,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3033LSNQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3033LSNQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3033LSNQ-7, DMN3033LSNQ-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 424.01 KB)
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DMN3033LSNQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds755pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.4W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21.1A (Ta), 49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 22.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

241nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 73W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 15V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1570pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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