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SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6913DQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6913DQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 297,108
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6913DQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6913DQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6913DQ-T1-GE3, SI6913DQ-T1-GE3數據表 (總頁數: 11, 大小: 221.11 KB)
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SI6913DQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 400µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA, 775mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

功率-最大

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

631pF @ 15V

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