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FDR8702H

FDR8702H

僅供參考

型號 FDR8702H
PNEDA編號 FDR8702H
描述 MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 5 - 二月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDR8702H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDR8702H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDR8702H, FDR8702H數據表 (總頁數: 8, 大小: 199.76 KB)
PDFFDR8702H數據表 封面
FDR8702H數據表 頁面 2 FDR8702H數據表 頁面 3 FDR8702H數據表 頁面 4 FDR8702H數據表 頁面 5 FDR8702H數據表 頁面 6 FDR8702H數據表 頁面 7 FDR8702H數據表 頁面 8

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FDR8702H規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A, 2.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 10V
功率-最大800mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供應商設備包裝SuperSOT™-8

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A, 2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

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FET類型

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A, 960mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

219A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 30mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

483nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 1000V

功率-最大

925W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

330mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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