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FDS8858CZ

FDS8858CZ

僅供參考

型號 FDS8858CZ
PNEDA編號 FDS8858CZ
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 121,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS8858CZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS8858CZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS8858CZ, FDS8858CZ數據表 (總頁數: 10, 大小: 355.81 KB)
PDFFDS8858CZ數據表 封面
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FDS8858CZ規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.6A, 7.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1205pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

523pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 15V

功率-最大

960mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 71.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1036nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

功率-最大

833W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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