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IDD12SG60CXTMA2

IDD12SG60CXTMA2

僅供參考

型號 IDD12SG60CXTMA2
PNEDA編號 IDD12SG60CXTMA2
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDD12SG60CXTMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDD12SG60CXTMA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
IDD12SG60CXTMA2, IDD12SG60CXTMA2數據表 (總頁數: 7, 大小: 238 KB)
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IDD12SG60CXTMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)12A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.1V @ 12A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 600V
電容@ Vr,F310pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝PG-TO252-3
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 4000V

電容@ Vr,F

-

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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