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IPG20N06S2L50ATMA1

IPG20N06S2L50ATMA1

僅供參考

型號 IPG20N06S2L50ATMA1
PNEDA編號 IPG20N06S2L50ATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N06S2L50ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N06S2L50ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N06S2L50ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 19µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds560pF @ 25V
功率-最大51W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

功率-最大

3.2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 15V

功率-最大

1.2W

工作溫度

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