IRL6372PBF
僅供參考
| 型號 | IRL6372PBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | IRL6372PBF | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 16,979 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 六月 25 - 六月 30 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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IRL6372PBF資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | IRL6372PBF |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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IRL6372PBF規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | HEXFET® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 8.1A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1.1V @ 10µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1020pF @ 25V |
| 功率-最大 | 2W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供應商設備包裝 | 8-SO |
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