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IXTT1N100

IXTT1N100

僅供參考

型號 IXTT1N100
PNEDA編號 IXTT1N100
描述 MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTT1N100資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTT1N100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTT1N100, IXTT1N100數據表 (總頁數: 2, 大小: 73.23 KB)
PDFIXTT1N100數據表 封面
IXTT1N100數據表 頁面 2

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IXTT1N100規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.4mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2865pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.4A (Ta), 52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.73mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1252pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.51W (Ta), 25.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

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FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-268

包裝/箱

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