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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

僅供參考

型號 MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
PNEDA編號 MT29E2T08CUHBBM4-3ES-B-TR
描述 IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $1,538.7025
50 ---------- $1,466.5758
100 ---------- $1,394.4491
200 ---------- $1,322.3224
400 ---------- $1,262.2169
500 ---------- $1,202.1113
庫存 2,547
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Tb (256G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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MT29F8G08ABABAWP-ITX:B TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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工作溫度

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安裝類型

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