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MT29F2G08ABAEAH4:E TR

MT29F2G08ABAEAH4:E TR

僅供參考

型號 MT29F2G08ABAEAH4:E TR
PNEDA編號 MT29F2G08ABAEAH4-E-TR
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 20,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F2G08ABAEAH4:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F2G08ABAEAH4:E TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F2G08ABAEAH4:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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時鐘頻率

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訪問時間

3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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