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NTB110N65S3HF

NTB110N65S3HF

僅供參考

型號 NTB110N65S3HF
PNEDA編號 NTB110N65S3HF
描述 SUPERFET3 650V FRFET,110M
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTB110N65S3HF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTB110N65S3HF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTB110N65S3HF, NTB110N65S3HF數據表 (總頁數: 10, 大小: 384.91 KB)
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NTB110N65S3HF規格

制造商ON Semiconductor
系列FRFET®, SuperFET® III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 740µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2635pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)240W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK-3 (TO-263-3)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

241mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

3-MCPH

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

IPC300N20N3X7SA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4280pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 30.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 3.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6500pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

143pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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