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NVMFD5877NLT3G

NVMFD5877NLT3G

僅供參考

型號 NVMFD5877NLT3G
PNEDA編號 NVMFD5877NLT3G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5877NLT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5877NLT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5877NLT3G, NVMFD5877NLT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 132.72 KB)
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NVMFD5877NLT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds540pF @ 25V
功率-最大3.2W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tj)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 30V

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 10V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

472pF @ 15V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 20V

功率-最大

1.3W

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安裝類型

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

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