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QS5U21TR

QS5U21TR

僅供參考

型號 QS5U21TR
PNEDA編號 QS5U21TR
描述 MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS5U21TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS5U21TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
QS5U21TR, QS5U21TR數據表 (總頁數: 11, 大小: 962.61 KB)
PDFQS5U21TR數據表 封面
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QS5U21TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds325pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.25W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT5
包裝/箱SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

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Rohm Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

285pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

950mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TSMT6 (SC-95)

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™, Polar3™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Sanken

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 35.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 650µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

47W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.9mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

31W (Tc)

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安裝類型

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