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RQ5E040RPTL

RQ5E040RPTL

僅供參考

型號 RQ5E040RPTL
PNEDA編號 RQ5E040RPTL
描述 RQ5E040RP IS A SMALL SIGNAL MOSF
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ5E040RPTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ5E040RPTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RQ5E040RPTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT3
包裝/箱SC-96

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

64W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 157A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4120pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 166W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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