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SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4816BDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4816BDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 22,818
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4816BDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4816BDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4816BDY-T1-GE3, SI4816BDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 194.15 KB)
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SI4816BDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A, 8.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W, 1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1880pF @ 10V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

62pF @ 10V

功率-最大

420mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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160mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 25V

功率-最大

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