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SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5513CDC-T1-E3
PNEDA編號 SI5513CDC-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 58,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5513CDC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5513CDC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI5513CDC-T1-E3, SI5513CDC-T1-E3數據表 (總頁數: 16, 大小: 276.1 KB)
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SI5513CDC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A, 3.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds285pF @ 10V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1761pF @ 25V

功率-最大

2W

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

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