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SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7540ADP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7540ADP-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH POWERPAK8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 14 - 一月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7540ADP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7540ADP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7540ADP-T1-GE3, SI7540ADP-T1-GE3數據表 (總頁數: 18, 大小: 446.03 KB)
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SI7540ADP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A, 9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1310pF @ 10V
功率-最大3.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

218.7pF @ 25V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

APTM50DHM35G

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制造商

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系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

99A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

781W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6

IRF7503TR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 25V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

Micro8™

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