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SIZF918DT-T1-GE3

SIZF918DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZF918DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZF918DT-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZF918DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZF918DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIZF918DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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155mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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