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SSM6N62TU,LF

SSM6N62TU,LF

僅供參考

型號 SSM6N62TU,LF
PNEDA編號 SSM6N62TU-LF
描述 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 45,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N62TU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N62TU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N62TU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)800mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds177pF @ 10V
功率-最大500mW (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝UF6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11200pF @ 25V

功率-最大

694W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A, 2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7220pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

572pF @ 25V

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