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VS-MBRD320-M3

VS-MBRD320-M3

僅供參考

型號 VS-MBRD320-M3
PNEDA編號 VS-MBRD320-M3
描述 DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MBRD320-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MBRD320-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-MBRD320-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 20V
電容@ Vr,F189pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

1.6pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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400V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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