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型號	描述	庫存
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 2Tb (256G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 152-LBGA 供應商設備包裝: 152-LBGA (14x18)	庫存8,136
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 2Tb (256G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存134
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 2Tb (256G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,876
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 2Tb (256G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,547
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 384Gb (48G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)	庫存2,142
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 384Gb (48G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)	庫存8,586
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 384Gb (48G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)	庫存5,040
MT29E3T08EQHBBG2-3:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 3Tb (384G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 272-LFBGA 供應商設備包裝: -	庫存7,362
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 3Tb (384G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 272-LFBGA 供應商設備包裝: -	庫存2,376
MT29E3T08EUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 3Tb (384G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,411
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 3Tb (384G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,258
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 3Tb (384G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,956
MT29E4T08CTHBBM5-3:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 4Tb (512G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,712
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 4Tb (512G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,878
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 4Tb (512G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,760
MT29E4T08EYHBBG9-3:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 4Tb (512G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,474
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 4Tb (512G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,858
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)	庫存581
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)	庫存5,868
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 333MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)	庫存4,428
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 152-TBGA	庫存5,814
MT29E512G08CKCCBH7-6:C Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 152-TBGA 供應商設備包裝: 152-TBGA	庫存7,920
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 152-TBGA 供應商設備包裝: 152-TBGA	庫存3,564
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,978
MT29E512G08CMCCBH7-6:C Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 152-TBGA	庫存7,290
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 152-TBGA	庫存8,046
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 152-TBGA	庫存5,382
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 132-LBGA 供應商設備包裝: 132-LBGA (12x18)	庫存3,456
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 132-LBGA 供應商設備包裝: 132-LBGA (12x18)	庫存5,616
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc.	內存 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Non-Volatile 內存格式: FLASH 技術: FLASH - NAND 內存大小: 512Gb (64G x 8) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: 132-LBGA (12x18)	庫存3,564

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